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自動欠陥検査機能を装備した唯一のウエハファブ用AFM

欠陥のイメージングと解析を完全自動で行うAFM計測手法により、欠陥検査における生産性を1,000%向上

パーク社のスマートADRにより欠陥の検出と解析を完全に自動化することができます。この機能により、重要なインラインプロセスにおける欠陥タイプを分類し、高分解能3Dイメージングによって原因究明が行えます。特に半導体業界のために設計されたスマートADRは、既存の計測ソルーションの中で最先端技術による欠陥検査手法です。座標の基準設定の為にしばしば試料に損傷を与えてしまうマーキングを行わずに自動で位置決めが行えます。スマートADRプロセスは、従来の欠陥レビュー手法と比較して生産性を最大1,000%向上させます。さらに、この新しいADR機能ではパーク社が開拓した完全非接触モードAFMテクノロジーにより最高20倍のプローブ寿命が得られます。

低ノイズ原子間力プロファイラーで正確且つ高スループットなCMP計測を実現

市場で最高の低ノイズを誇るPark AFMと長距離スライディン グステージとの組み合わせにより、化学機械研磨(CMP)の計測に対応した原子間力プロファイラ(AFP)が完成しました。新しい低ノイズAFPは、局所的又は広域においても均一性の高い測定が可能で、非常に平坦なプロファイリングを市場最高の精度と再現性を提供します。独自の新のノンコンタクト™モードにより、非常に長いチップ寿命でインラインにおける非破壊測定を可能にし、一方パーク社の革新的な真の試料トポグラフィー™によって、従来のピエゾチューブベースのAFPにおいて発生していたア ーティファクトが無いCMPプロファイルを取得出来ます。これにより、非線形成分や高い雑音バックグラウンドを測定時に除去する作業をしないで、長距離プロファイリング計測を正確に行うことが可能になりました。

非常に正確で、チップーチップ間のバラツキも最小にしたサブÅ表面粗さ計測

ウエハの表面粗さは、半導体デバイスの性能を決定する際に重要です。最新技術のデバイスメーカー において、チップ メーカーとウエハ サプライヤのどちらにおいても、SiまたはSOIウエハの超平坦面に対して更に正確な粗さ制御を必要としています。0.5Å 以下という業界最小ノイズフロアと完全ノンコンタクト™モードと組み合わせた技術により、Park NX-Waferはプローブ間のバラツキを最小限に抑えてサブÅの粗さ情報を正確に得ることができます。パーク社のクロストーク除去機能によって、非常に平坦な試料でも場所、スキャン スピード或いはスキャン サイズに関わらず常に湾曲のない非常に平坦で直交したXYスキャンが可能です。微小粗さから広範囲のうねり計測においても、非常に正確で再現性のある表面計測が可能です。

Park NX-Wafer

Park NX-Wafer

 

NX-Wafer Brochures


XE-Wafer Brochures

 

Park Wafer-概要